半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

良好的機(jī)械和熱學(xué)特性：硬度較高，在研磨、拋光過(guò)程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時(shí)能夠承受較高的溫度而不發(fā)生分解或結(jié)構(gòu)破壞，在高溫環(huán)境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩(wěn)定性。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導(dǎo)電膜（如手機(jī)屏幕、電視面板）。

光伏領(lǐng)域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵原料，提升光電轉(zhuǎn)換效率。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點(diǎn)低至 120℃，用于保險(xiǎn)絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應(yīng)堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測(cè)器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領(lǐng)域：

量子點(diǎn)顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術(shù)中，精銦作為高純?cè)嫌糜诒∧こ练e或材料合成。