微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對低溫下進(jìn)行，目的是通過部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。

顯示技術(shù)領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極，確保顯示設(shè)備既能透光顯示圖像，又能導(dǎo)電傳輸信號。

半導(dǎo)體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點(diǎn)和延展性，作為半導(dǎo)體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應(yīng)精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導(dǎo)體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。