微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過(guò)程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

良好的導(dǎo)電性：ITO 薄膜的電阻率可達(dá) 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設(shè)備的導(dǎo)電需求。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導(dǎo)電膜（如手機(jī)屏幕、電視面板）。

光伏領(lǐng)域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵原料，提升光電轉(zhuǎn)換效率。

半導(dǎo)體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點(diǎn)和延展性，作為半導(dǎo)體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應(yīng)精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導(dǎo)體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測(cè)器（如紅外成像器件）。