半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中能實(shí)現(xiàn)透明性和導(dǎo)電性的理想平衡。

外觀特性：在靶材形態(tài)下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。

良好的機(jī)械和熱學(xué)特性：硬度較高，在研磨、拋光過(guò)程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時(shí)能夠承受較高的溫度而不發(fā)生分解或結(jié)構(gòu)破壞，在高溫環(huán)境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩(wěn)定性。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對(duì)低溫下進(jìn)行，目的是通過(guò)部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時(shí)防止過(guò)早的晶粒長(zhǎng)大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。