半導(dǎo)體領(lǐng)域:占比 28%,用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積,在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升,如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
超高密度成型:超高密度成型工藝(≥99.5%)可使靶材具有更好的性能,提高在真空濺射過(guò)程中的穩(wěn)定性和使用壽命。
晶粒定向控制:晶粒定向控制技術(shù)能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向,提升濺射薄膜的質(zhì)量和性能,滿足高端應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
粉末冶金法:將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合,隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié),以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對(duì)低溫下進(jìn)行,目的是通過(guò)部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合,同時(shí)防止過(guò)早的晶粒長(zhǎng)大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。
顯示技術(shù)領(lǐng)域:廣泛應(yīng)用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極,確保顯示設(shè)備既能透光顯示圖像,又能導(dǎo)電傳輸信號(hào)。