微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過(guò)程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。

純度分級(jí)：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導(dǎo)體、光電材料等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點(diǎn)和延展性，作為半導(dǎo)體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應(yīng)精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導(dǎo)體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測(cè)器（如紅外成像器件）。