主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中能實(shí)現(xiàn)透明性和導(dǎo)電性的理想平衡。

外觀特性：在靶材形態(tài)下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。

良好的導(dǎo)電性：ITO 薄膜的電阻率可達(dá) 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設(shè)備的導(dǎo)電需求。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。

物理化學(xué)性能

物理性質(zhì)：

密度：7.31 g/cm3，熔點(diǎn) 156.6℃，沸點(diǎn) 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導(dǎo)電性：電導(dǎo)率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學(xué)性質(zhì)：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會(huì)氧化生成 In?O?；可溶于強(qiáng)酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。