顯示面板制造:是銦靶的應用領域,約占總需求的 52%,主要用于液晶顯示器(LCD)與有機發(fā)光二極管(OLED)的 ITO 透明導電膜制備,可使面板具有良好的導電性和透明性。
熱等靜壓(HIP)工藝:在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結,能夠顯著提高材料的致密度,減少材料中的孔隙,改善材料的微觀結構,使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度,但該工藝成本較為昂貴。
純度分級:
4N 精銦:純度≥99.99%,主要用于普通電子元器件及靶材原料。
5N-6N 精銦:純度≥99.999%-99.9999%,用于高端半導體、光電材料等領域。
物理化學性能
物理性質:
密度:7.31 g/cm3,熔點 156.6℃,沸點 2080℃,常溫下可彎曲而不碎裂。
導電性:電導率約 1.1×10? S/m,僅次于銀、銅,適用于高頻電子元件。
化學性質:
常溫下在空氣中穩(wěn)定,加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?;可溶于強酸(如鹽酸、硫酸),但在堿中穩(wěn)定性較高。