顯示面板制造：是銦靶的應用領域，約占總需求的 52%，主要用于液晶顯示器（LCD）與有機發(fā)光二極管（OLED）的 ITO 透明導電膜制備，可使面板具有良好的導電性和透明性。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。

純度分級：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導體、光電材料等領域。

物理化學性能

物理性質：

密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學性質：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。