微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。

顯示技術(shù)領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極，確保顯示設(shè)備既能透光顯示圖像，又能導(dǎo)電傳輸信號(hào)。