良好的機(jī)械和熱學(xué)特性：硬度較高，在研磨、拋光過程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時(shí)能夠承受較高的溫度而不發(fā)生分解或結(jié)構(gòu)破壞，在高溫環(huán)境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩(wěn)定性。

精銦是指純度的金屬銦，通常純度在 99.99%（4N）以上，高純度規(guī)格可達(dá) 99.9999%（6N）甚至更高.精銦是通過精煉工藝去除銦原料中的雜質(zhì)（如鉛、鋅、鎘、錫等）后得到的高純度金屬，呈銀白色光澤，質(zhì)地柔軟，具有良好的延展性和導(dǎo)電性。

精銦的制備需經(jīng)過多步精煉，核心工藝包括：

原料預(yù)處理：以鋅冶煉副產(chǎn)物（如浸出渣、煙灰）或含銦廢料為原料，通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。

電解精煉：將粗銦溶解為銦鹽溶液（如硫酸銦），通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。

深度提純：

真空蒸餾：在高真空條件下利用銦與雜質(zhì)的沸點(diǎn)差異（銦沸點(diǎn) 2080℃，雜質(zhì)如鋅沸點(diǎn) 907℃）去除低沸點(diǎn)雜質(zhì)。

區(qū)域熔煉：通過移動(dòng)加熱區(qū)使雜質(zhì)在固液界面重新分布，多次操作后可將純度提升至 6N 以上。

化學(xué)提純：利用萃取劑（如三丁基氧化膦）或離子交換樹脂進(jìn)一步去除微量金屬離子。

半導(dǎo)體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點(diǎn)和延展性，作為半導(dǎo)體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應(yīng)精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導(dǎo)體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測(cè)器（如紅外成像器件）。