超高密度成型:超高密度成型工藝(≥99.5%)可使靶材具有更好的性能,提高在真空濺射過(guò)程中的穩(wěn)定性和使用壽命。
晶粒定向控制:晶粒定向控制技術(shù)能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向,提升濺射薄膜的質(zhì)量和性能,滿足高端應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
良好的導(dǎo)電性:ITO 薄膜的電阻率可達(dá) 10??Ω?cm,具有較低的電阻和較高的載流子濃度,能夠有效地傳輸電流,滿足各種電子設(shè)備的導(dǎo)電需求。
光伏技術(shù)領(lǐng)域:在太陽(yáng)能電池中,ITO 薄膜作為前電極材料,具有高透明性,能夠保證光線有效進(jìn)入吸收層,從而提升光電轉(zhuǎn)換效率,適用于 CIGS、CdTe 等薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)。
其他領(lǐng)域:在智能窗、透明發(fā)熱膜、紅外反射膜等領(lǐng)域也有應(yīng)用,滿足智能建筑和汽車工業(yè)中的透明導(dǎo)電需求。
物理化學(xué)性能
物理性質(zhì):
密度:7.31 g/cm3,熔點(diǎn) 156.6℃,沸點(diǎn) 2080℃,常溫下可彎曲而不碎裂。
導(dǎo)電性:電導(dǎo)率約 1.1×10? S/m,僅次于銀、銅,適用于高頻電子元件。
化學(xué)性質(zhì):
常溫下在空氣中穩(wěn)定,加熱至 100℃以上會(huì)氧化生成 In?O?;可溶于強(qiáng)酸(如鹽酸、硫酸),但在堿中穩(wěn)定性較高。