半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

光伏產(chǎn)業(yè)：占比 15%，應(yīng)用于薄膜太陽能電池的透明電極，如銅銦鎵硒（CIGS）薄膜電池、光伏異質(zhì)結(jié)電池（HJT）等，隨著這些電池技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加速，對(duì)銦靶的需求也在不斷增加。

純度分級(jí)：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導(dǎo)體、光電材料等領(lǐng)域。

物理化學(xué)性能

物理性質(zhì)：

密度：7.31 g/cm3，熔點(diǎn) 156.6℃，沸點(diǎn) 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導(dǎo)電性：電導(dǎo)率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學(xué)性質(zhì)：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會(huì)氧化生成 In?O?；可溶于強(qiáng)酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。