半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。

純度分級：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導(dǎo)體、光電材料等領(lǐng)域。

小金屬：粗銦，精銦，銦靶材，粗鎵，金屬鎵99.99以及廢料。高價回收鎳片，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.

高價回收鎳片，鎳泥，鎳催化劑，含鎳物料，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，高價 回收 ( 鉭 ) 鉭絲 鉭粉 鉭電容 鉭鈮 鉭鎢 ，銦.銦絲.氧化銦.金.金屬鍺.鍺錠99.999等.

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