熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。

光伏技術領域：在太陽能電池中，ITO 薄膜作為前電極材料，具有高透明性，能夠保證光線有效進入吸收層，從而提升光電轉換效率，適用于 CIGS、CdTe 等薄膜太陽能電池技術。

其他領域：在智能窗、透明發(fā)熱膜、紅外反射膜等領域也有應用，滿足智能建筑和汽車工業(yè)中的透明導電需求。

純度分級：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導體、光電材料等領域。

物理化學性能

物理性質：

密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學性質：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。