先進(jìn)封裝技術(shù)

應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。

特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過(guò)高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過(guò)熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過(guò)熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過(guò)程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。

真空系統(tǒng)維護(hù)

腔體清潔：每次濺射后及時(shí)清理腔體內(nèi)壁及基片臺(tái)的銦沉積層（銦延展性強(qiáng)，易粘附在腔體表面，長(zhǎng)期積累可能導(dǎo)致短路或影響真空度）。

可用棉簽蘸取乙醇擦拭，或用軟質(zhì)刮刀輕輕刮除（避免損傷腔體涂層）。

真空泵保養(yǎng)：定期更換真空泵油（因銦蒸氣可能污染泵油，建議每 200 小時(shí)檢查一次），防止油液粘度升高影響抽氣效率。

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