光學領域：用于制造反射率與銀鏡一樣高但不會褪色的鏡，還可用于制造其他光學器件，如濾光片、光通信器件等。

其他領域：可用于制造低熔點合金，如 24％銦和 76％鎵的合金在室溫下為液態(tài)，此外，還可用于制造整流器、熱敏電阻和光電導體等電氣組件。

銦靶是現代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產業(yè)的底層關鍵材料，其應用深度和廣度直接反映一個國家在半導體、顯示、光伏等領域的技術水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復雜，銦靶的供應鏈已成為各國關注的重點。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時推動高純銦（99.999% 以上）制備技術的不斷突破。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導致靶材熔融或飛濺（銦熔點僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導致銦原子擴散加劇，影響薄膜結晶質量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導致靶材變形或脫靶。

濺射時間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實時監(jiān)測薄膜沉積速率，結合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關），控制濺射時間。

靶材利用率：避免過度濺射導致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時需及時更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉靶可提升至 60% 以上。