集成電路(IC)制造
用途:作為金屬互連層或接觸電極材料,用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。
優(yōu)勢(shì):銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜,滿足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。
存儲(chǔ)環(huán)境控制
溫濕度:存儲(chǔ)于干燥、恒溫環(huán)境(溫度 15~25℃,濕度≤40% RH),避免銦靶吸潮氧化(銦在潮濕空氣中易生成 In?O?薄膜,影響濺射效率)。
防塵防潮:用鋁箔或真空袋密封包裝,存放于潔凈柜中,防止灰塵附著或與其他化學(xué)物質(zhì)接觸。
濺射氣體控制
氣體純度:使用高純氬氣(99.999% 以上),避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化(氧化銦導(dǎo)電性下降,易形成電弧放電)。
氣壓調(diào)節(jié):
直流濺射(DC):氣壓通常為 0.1~10 Pa,低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低;高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。
射頻濺射(RF):適用于絕緣基底,氣壓可略高于直流濺射,需根據(jù)薄膜厚度要求動(dòng)態(tài)調(diào)整。
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