光學(xué)領(lǐng)域：用于制造反射率與銀鏡一樣高但不會(huì)褪色的鏡，還可用于制造其他光學(xué)器件，如濾光片、光通信器件等。

其他領(lǐng)域：可用于制造低熔點(diǎn)合金，如 24％銦和 76％鎵的合金在室溫下為液態(tài)，此外，還可用于制造整流器、熱敏電阻和光電導(dǎo)體等電氣組件。

化合物半導(dǎo)體器件

場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

濺射時(shí)間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。

靶材利用率：避免過度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。

靶材回收與再利用

回收價(jià)值：報(bào)廢銦靶（含濺射過程中產(chǎn)生的碎屑、廢膜）可通過化學(xué)溶解（如鹽酸溶解）、電解精煉等工藝回收銦金屬（回收率可達(dá) 95% 以上），降低生產(chǎn)成本。

環(huán)保要求：回收過程中產(chǎn)生的廢水需處理至重金屬排放標(biāo)準(zhǔn)（如銦離子濃度≤0.1 mg/L），避免環(huán)境污染。