物理性質(zhì)

熔點(diǎn)與沸點(diǎn)：熔點(diǎn)為 156.6 ℃，沸點(diǎn)為 2075 ℃。

可塑性與延展性：具有優(yōu)良的可塑性、延展性，能夠無限制任意變形、壓成極薄的金屬片。

導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性：導(dǎo)電性約為銅的 1/5，熱膨脹系數(shù)幾乎超過銅的一倍。

其他：在氫氣或真空中加熱銦會發(fā)生升華，熔化的銦能夠潤濕干凈的玻璃，還具有超導(dǎo)性能、潤滑性能、耐磨性能、光透性。

分布情況

地殼含量：在地殼中的含量為 0.1 ppm，并且較為分散，沒有富礦存在。

伴生礦物：含銦礦物的獨(dú)立礦種有自然銦、硫銦銅礦等，多伴生于有色金屬硫化礦物中，如硫化鋅礦、方鉛礦等，黑鎢礦、普通角閃石、錫礦石中也含有銦。

資源儲量：全球銦儲量較豐富的國家有中國、秘魯、美國、加拿大、俄羅斯，這五個(gè)國家銦儲量占據(jù)了全球銦儲量的 80.6%。

低熔點(diǎn)合金與焊料

銦焊料：

純銦或銦合金（如銦 - 銀、銦 - 鎵）因低毒性、高潤濕性和抗疲勞性，用于精密電子元件、航空航天設(shè)備和醫(yī)療器件的焊接，尤其適合高溫環(huán)境下的密封連接（如真空器件、核反應(yīng)堆部件）。

易熔合金：

銦與鉍、鉛、錫等組成的合金（如伍德合金）熔點(diǎn)低（約 70℃），用于消防噴頭、電路過載保護(hù)裝置和模具快速成型。

半導(dǎo)體與微電子工業(yè)

化合物半導(dǎo)體材料

磷化銦（InP）單晶襯底：

精銦是制備 InP 晶圓的核心原料，用于生產(chǎn) 5G 基站的射頻芯片（如 HEMTs 高電子遷移率晶體管）、光纖通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子點(diǎn)發(fā)光器件（QLED）。

應(yīng)用場景：5G 通信、數(shù)據(jù)中心光模塊、自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)（LiDAR）。

砷化銦（InAs）/ 銻化銦（InSb）：

用于紅外探測器（如軍用夜視儀、衛(wèi)星熱成像）和拓?fù)淞孔佑?jì)算元件。