太陽(yáng)能電池

銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽(yáng)能電池：

CIGS 電池具有光電轉(zhuǎn)換效率高（實(shí)驗(yàn)室約 23%）、抗輻射能力強(qiáng)、可柔性制備等優(yōu)點(diǎn)，適用于航天器、建筑一體化光伏（BIPV）和移動(dòng)電源。

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池：

銦用于電極或界面修飾層，提升電池穩(wěn)定性和效率。

精銦的制備方法

精銦通常以粗銦（純度約 95%~99%，來(lái)源于鋅礦冶煉副產(chǎn)物）為原料，通過(guò)多級(jí)提純工藝獲得：

電解精煉

將粗銦作為陽(yáng)極，純銦片作為陰極，在硫酸或氯化物電解液中通電，雜質(zhì)（如鋅、鉛）沉積為陽(yáng)極泥，銦離子遷移至陰極形成純度約 99.95% 的電解銦。

真空蒸餾

在高真空（10?3~10?? Pa）和高溫（500~1000℃）下，利用銦與雜質(zhì)（如鎘、錫）的蒸氣壓差異分離，純度可提升至 99.99%~99.999%。

區(qū)域熔煉

通過(guò)移動(dòng)加熱線(xiàn)圈使銦棒局部熔融，雜質(zhì)隨固液界面移動(dòng)富集到末端，重復(fù)操作后純度可達(dá) 99.9999%（6N）以上。

化學(xué)提純

利用萃?。ㄈ缬糜袡C(jī)膦酸萃取銦）、離子交換或深度結(jié)晶等方法進(jìn)一步去除微量雜質(zhì)。

半導(dǎo)體與微電子工業(yè)

化合物半導(dǎo)體材料

磷化銦（InP）單晶襯底：

精銦是制備 InP 晶圓的核心原料，用于生產(chǎn) 5G 基站的射頻芯片（如 HEMTs 高電子遷移率晶體管）、光纖通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子點(diǎn)發(fā)光器件（QLED）。

應(yīng)用場(chǎng)景：5G 通信、數(shù)據(jù)中心光模塊、自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)（LiDAR）。

砷化銦（InAs）/ 銻化銦（InSb）：

用于紅外探測(cè)器（如軍用夜視儀、衛(wèi)星熱成像）和拓?fù)淞孔佑?jì)算元件。

精銦的市場(chǎng)與資源現(xiàn)狀

全球產(chǎn)量

精銦年產(chǎn)量約 500~600 噸，主要生產(chǎn)國(guó)為中國(guó)（占全球 60% 以上）、韓國(guó)、日本和加拿大。

價(jià)格趨勢(shì)

受供需關(guān)系影響，精銦（4N 純度）價(jià)格通常在 800~1200 美元 / 千克，6N 高純銦可達(dá) 2000~3000 美元 / 千克。

資源挑戰(zhàn)

銦為稀散金屬，主要伴生于鋅礦（含銦 0.001%~0.1%），全球儲(chǔ)量約 5 萬(wàn)噸，且開(kāi)采成本高。因此，從廢舊顯示屏和半導(dǎo)體廢料中回收精銦（回收率可達(dá) 85% 以上）成為重要補(bǔ)充途徑。