半導(dǎo)體材料

化合物半導(dǎo)體：

磷化銦（InP）：用于制造 5G 基站的射頻器件、激光雷達(dá)（LiDAR）的發(fā)射器、光纖通信中的激光器和探測器，是光電子和高頻電子領(lǐng)域的核心材料。

砷化銦（InAs）、銻化銦（InSb）：用于紅外探測器、量子計(jì)算元件和高速集成電路。

集成電路封裝：

銦焊料（如銦 - 錫合金）因低熔點(diǎn)（約 156℃）、高可靠性和抗腐蝕性，用于芯片與基板的連接（如倒裝芯片技術(shù)），尤其在航空航天和軍工領(lǐng)域不可替代。

精銦的核心特性

超高純度

雜質(zhì)含量極低（如鉛、鋅、鐵等金屬雜質(zhì)通常低于百萬分之一），確保材料性能的穩(wěn)定性和可靠性。

物理性質(zhì)優(yōu)異

導(dǎo)電性：電阻率低（約 8.3 × 10?? Ω?m），接近純銀，適合高頻電路和精密電子器件。

延展性：可軋制成厚度僅 0.1 微米的箔材，或拉成極細(xì)的導(dǎo)線，用于柔性電子和微納加工。

低熔點(diǎn)：熔點(diǎn) 156.6℃，便于低溫焊接和合金制備，且焊接過程中不易損傷敏感元件。

化學(xué)穩(wěn)定性

在常溫下不易氧化（需在高溫或強(qiáng)腐蝕性環(huán)境中才會反應(yīng)），適合高要求的密封和涂層應(yīng)用。

半導(dǎo)體與微電子工業(yè)

化合物半導(dǎo)體材料

磷化銦（InP）單晶襯底：

精銦是制備 InP 晶圓的核心原料，用于生產(chǎn) 5G 基站的射頻芯片（如 HEMTs 高電子遷移率晶體管）、光纖通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子點(diǎn)發(fā)光器件（QLED）。

應(yīng)用場景：5G 通信、數(shù)據(jù)中心光模塊、自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)（LiDAR）。

砷化銦（InAs）/ 銻化銦（InSb）：

用于紅外探測器（如軍用夜視儀、衛(wèi)星熱成像）和拓?fù)淞孔佑?jì)算元件。

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