半導(dǎo)體材料

化合物半導(dǎo)體：

磷化銦（InP）：用于制造 5G 基站的射頻器件、激光雷達(dá)（LiDAR）的發(fā)射器、光纖通信中的激光器和探測器，是光電子和高頻電子領(lǐng)域的核心材料。

砷化銦（InAs）、銻化銦（InSb）：用于紅外探測器、量子計算元件和高速集成電路。

集成電路封裝：

銦焊料（如銦 - 錫合金）因低熔點(diǎn)（約 156℃）、高可靠性和抗腐蝕性，用于芯片與基板的連接（如倒裝芯片技術(shù)），尤其在航空航天和軍工領(lǐng)域不可替代。

放射性同位素應(yīng)用

銦 - 111（111In）：

作為診斷用放射性同位素，用于單光子發(fā)射計算機(jī)斷層掃描（SPECT），標(biāo)記白細(xì)胞或抗體后可追蹤炎癥部位或定位腫瘤（如淋巴瘤、神經(jīng)內(nèi)分泌腫瘤）。

靶向：

銦 - 111 與靶向結(jié)合，實現(xiàn)腫瘤的成像和放射。

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