GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應用（例如，逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、消費類應用（例如，空調(diào)和電磁爐），以及車載應用（例如，電動汽車（EV）電機控制器）。

作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業(yè)、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領域。

IGBT電路是負責變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、整流二極管、光耦隔離芯片，根據(jù)使用IGBT模塊型號，有些需使用配套的觸發(fā)驅(qū)動芯片以及保護電路。