提供適當?shù)恼聪螂妷?，使IGBT能可靠地開通和關斷。當正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但若ce過大，則負載短路時其c隨ce增大而增大，對其不利，使用中選GE《15V為好。負偏電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通，一般選UGE -- 5V為宜。

IGBT驅(qū)動電路中的電阻G對工作性能有較大的影響，G較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會增加IGBT的開關時間和開關損20耗；Rc較小，會引起電流上升率增大，使IGBT誤導通或損壞。Rc的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT其Rc值較大。

我公司專業(yè)提供IGBT驅(qū)動，歡迎來電咨詢。驅(qū)動電路應具有較強的抗干擾能力及對IGBT的保護功能。IGBT的控制、驅(qū)動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配，另外，在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下，G -- E斷不能開路。

采用光耦合器及CMOS 驅(qū)動IGBT，該電路自身帶過流保護功能，光耦合器將脈沖控制電路與驅(qū)動電路隔離，4011 的四個與非門并聯(lián)工作提高了驅(qū)動能力，互補晶體管V1、V2 降低驅(qū)動電路阻抗，通過R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅(qū)動電壓，以滿足各種IGBT 對柵極驅(qū)動電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時受4011 型CMOS電路工作電壓的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制，并受到限制。