多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。

為了進一步降低多晶硅太陽電池的成本，研究了硅片厚度對多晶硅太陽電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會下降。

對硅片行業(yè)稍微有些了解的人都應該知道，廢硅片回收之后是必須要清洗的，而且我們還要對清洗過程給予必要的重視，不能馬馬虎虎，因為硅片回收清洗的效率將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性。

硅有結晶態(tài)和非晶。常溫下硅單晶介電系數(shù)11.7，對光具有高的折射率(n=3.42)，反射損失較大，涂以適當減反射膜可大大提高透過率。硅中的雜質會引起光的吸收，氧和碳的吸收帶在室溫下分別位于1107和607cm-1處。