應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域,配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品,能達(dá)到超精細(xì)拋光效果,拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷,3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光,SiO2磨料呈球形,具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點(diǎn)。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋,具有拋光速率高,拋光后易清洗,表面粗糙度低,能夠得到總厚偏差(TTV)極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用,如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域,拋光后能達(dá)到良好的拋光效果
氧化鈰拋光液 氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液,該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點(diǎn)。 適用于高精密光學(xué)儀器,光學(xué)鏡頭,微晶玻璃基板,晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。
拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。 拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。
CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢:單純的化學(xué)拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,平整性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機(jī)械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深?;瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級,是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。